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IRFS4310ZTRLPBF  与  PSMN7R0-100BS,118  区别

型号 IRFS4310ZTRLPBF PSMN7R0-100BS,118
唯样编号 A36-IRFS4310ZTRLPBF A-PSMN7R0-100BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - TO-263-3 PSMN7R0 Series 100 V 100 A 6.8 mOhm N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 250W(Tc) 269W
输出电容 - 438pF
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263-2
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 127A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V -
输入电容 - 6686pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6.8mΩ@15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 97 145
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
9+ :  ¥6.138
10+ :  ¥15.1058
100+ :  ¥11.1895
400+ :  ¥9.4826
800+ :  ¥8.6996
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4310ZTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥6.138 

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9: ¥6.138
97 当前型号
STH110N10F7-2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

H2PAK

¥6.2748 

阶梯数 价格
1: ¥6.2748
2: ¥6.0239
4: ¥5.7828
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PSMN7R0-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100BS_TO-263-2

¥15.1058 

阶梯数 价格
10: ¥15.1058
100: ¥11.1895
400: ¥9.4826
800: ¥8.6996
145 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
AUIRFS4310ZTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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