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IRFS3306TRLPBF  与  STB160N75F3  区别

型号 IRFS3306TRLPBF STB160N75F3
唯样编号 A36-IRFS3306TRLPBF A-STB160N75F3
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.25mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ -
上升时间 76ns -
Qg-栅极电荷 85nC -
栅极电压Vgs 20V -
正向跨导 - 最小值 230S -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 160A -
配置 Single -
长度 10mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 77ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
高度 4.4mm -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 230W -
典型关闭延迟时间 40ns -
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
典型接通延迟时间 15ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 355 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
5+ :  ¥10.549
100+ :  ¥8.932
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