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IRFRC20PBF  与  STD2HNK60Z  区别

型号 IRFRC20PBF STD2HNK60Z
唯样编号 A36-IRFRC20PBF A3-STD2HNK60Z
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.4 Ohms @ 1.2A,10V 4.8Ω@1A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W,42W 45W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 2A(Tc) 2A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - SuperMESH™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 2,923 20,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税)
20+ :  ¥4.499
100+ :  ¥3.751
750+ :  ¥3.465
1,500+ :  ¥3.311
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFRC20PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

2A(Tc) N-Channel 4.4 Ohms @ 1.2A,10V 2.5W,42W TO-252 -55℃~150℃ 600V

¥4.499 

阶梯数 价格
20: ¥4.499
100: ¥3.751
750: ¥3.465
1,500: ¥3.311
2,923 当前型号
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 4.8Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A

暂无价格 20,000 对比
STD2LN60K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 12,500 对比
STD3NK60ZT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 3.6Ω@1.2A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2.4A

暂无价格 7,500 对比
STD2N62K3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 45W(Tc) 4.8Ω@1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 2A

¥2.574 

阶梯数 价格
20: ¥2.574
100: ¥1.98
1,250: ¥1.716
2,500: ¥1.639
5,000 对比

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