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IRFR4615TRLPBF  与  IRFR18N15DTRRP  区别

型号 IRFR4615TRLPBF IRFR18N15DTRRP
唯样编号 A36-IRFR4615TRLPBF A-IRFR18N15DTRRP
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 42 mOhm 26 nC 144 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@21A,10V 125mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 144W(Tc) 110W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 33A 18A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V 900pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V 43nC
库存与单价
库存 651 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.993
100+ :  ¥3.333
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
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