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IRFR4615TRLPBF  与  IPD35N10S3L-26  区别

型号 IRFR4615TRLPBF IPD35N10S3L-26
唯样编号 A36-IRFR4615TRLPBF A-IPD35N10S3L-26
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 150 V 42 mOhm 26 nC 144 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@21A,10V 24mΩ
上升时间 - 4ns
Qg-栅极电荷 - 30nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 33A 35A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 3ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 150V 100V
Pd-功率耗散(Max) 144W(Tc) 71W
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS-T
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V -
库存与单价
库存 651 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.993
100+ :  ¥3.333
暂无价格
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