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IRFR3710ZTRPBF  与  AOD4126  区别

型号 IRFR3710ZTRPBF AOD4126
唯样编号 A36-IRFR3710ZTRPBF A36-AOD4126
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 55
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@33A,10V 24mΩ@20A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 30mΩ
Qgd(nC) - 10
栅极电压Vgs ±20V ±25V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
Td(on)(ns) - 12
封装/外壳 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 56A 43A
Ciss(pF) - 1770
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V -
Trr(ns) - 20
Td(off)(ns) - 17
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 100W
Qrr(nC) - 82
VGS(th) - 4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
Coss(pF) - 165
Qg*(nC) - 28*
库存与单价
库存 2 4,865
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥2.959
100+ :  ¥2.277
1,250+ :  ¥1.98
2,500+ :  ¥1.87
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¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
100: ¥2.277
1,250: ¥1.98
2,500: ¥1.87
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