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IRFR3710ZTRPBF  与  IRFR3410TRPBF  区别

型号 IRFR3710ZTRPBF IRFR3410TRPBF
唯样编号 A36-IRFR3710ZTRPBF A-IRFR3410TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 39 mOhm 56 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@33A,10V 39mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 3W(Ta),110W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 56A 31A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V 1690pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V 56nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2930pF @ 25V 1690pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V 56nC @ 10V
库存与单价
库存 2 2,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3710ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

暂无价格 2 当前型号
IRFR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
1,000: ¥2.211
2,000: ¥2.09
11,640 对比
AOD4126 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
100: ¥2.277
1,250: ¥1.98
2,500: ¥1.87
4,865 对比
IRFR3410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 2,000 对比
IRFR3411TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
AOD4124 AOS 功率MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比

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