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IRFR3607TRPBF  与  IPD50N06S409ATMA1  区别

型号 IRFR3607TRPBF IPD50N06S409ATMA1
唯样编号 A36-IRFR3607TRPBF A-IPD50N06S409ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@46A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3785pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 47nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 75V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 34uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V -
库存与单价
库存 179 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.311
100+ :  ¥2.552
暂无价格
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