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IRFR3607TRPBF  与  DMTH6009LK3-13  区别

型号 IRFR3607TRPBF DMTH6009LK3-13
唯样编号 A36-IRFR3607TRPBF A-DMTH6009LK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC 140 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 MOSFET N-CH 60V 14.2A
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@46A,10V 10mΩ@13.5A,10V
漏源极电压Vds 75V 60V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 3.2W(Ta),60W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A 14.2A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V 1925pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V 33.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V -
库存与单价
库存 179 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.311
100+ :  ¥2.552
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3607TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
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