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IRFR2405TRPBF  与  STD60NF55LT4  区别

型号 IRFR2405TRPBF STD60NF55LT4
唯样编号 A36-IRFR2405TRPBF A-STD60NF55LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 55 V 110 W 70 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@34A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 56A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2430pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2430pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 287 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥4.697
100+ :  ¥3.916
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