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IRFR220PBF  与  IRFR220NPBF  区别

型号 IRFR220PBF IRFR220NPBF
唯样编号 A36-IRFR220PBF A-IRFR220NPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 Single N-Channel 200 V 6.8 mOhm 23 nC 43 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 800 mOhms @ 2.9A,10V 600mΩ@2.9A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W,42W 43W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 4.8A(Tc) 5A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR220PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

4.8A(Tc) N-Channel 800 mOhms @ 2.9A,10V 2.5W,42W TO-252 -55℃~150℃ 200V

暂无价格 0 当前型号
IRFR220NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 2,000 对比
AOD450 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 200V 30V 3.8A 25W 700mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFR220NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR220NTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 200V 5A(Tc) ±20V 43W(Tc) 600mΩ@2.9A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比
IRFR220NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 0 对比

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