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IRFR120PBF  与  DMN10H170SK3-13  区别

型号 IRFR120PBF DMN10H170SK3-13
唯样编号 A36-IRFR120PBF A36-DMN10H170SK3-13
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 270 mOhms @ 4.6A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W,42W 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 140mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1167 pF @ 25 V
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.7 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 TO-252-3
连续漏极电流Id 7.7A(Tc) 12A(Tc)
工作温度 -55℃~150℃ -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
Vgs(最大值) ±20V -
库存与单价
库存 575 2,065
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.168
100+ :  ¥2.651
40+ :  ¥1.452
100+ :  ¥1.122
1,250+ :  ¥0.9504
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR120PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

7.7A(Tc) N-Channel 270 mOhms @ 4.6A,10V 2.5W,42W TO-252 -55℃~150℃ 100V

¥3.168 

阶梯数 价格
20: ¥3.168
100: ¥2.651
575 当前型号
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.8357 

阶梯数 价格
30: ¥5.8357
50: ¥4.1301
100: ¥3.5647
300: ¥3.191
500: ¥3.1143
1,000: ¥3.0568
4,000: ¥3.0089
4,500 对比
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.8357 

阶梯数 价格
30: ¥5.8357
50: ¥4.1301
100: ¥3.5647
300: ¥3.191
500: ¥3.1143
1,000: ¥3.0568
2,145 对比
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 12A(Tc)

¥1.452 

阶梯数 价格
40: ¥1.452
100: ¥1.122
1,250: ¥0.9504
2,065 对比
IRFR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A

暂无价格 2,000 对比
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.8357 

阶梯数 价格
30: ¥5.8357
50: ¥4.1301
100: ¥3.5647
300: ¥3.191
500: ¥3.1143
1,000: ¥3.0568
1,030 对比

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