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IRFR120PBF  与  RSD050N10TL  区别

型号 IRFR120PBF RSD050N10TL
唯样编号 A36-IRFR120PBF A33-RSD050N10TL-2
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252 MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 15W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 270 mOhms @ 4.6A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W,42W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 530pF @ 25V
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-252 CPT3
连续漏极电流Id 7.7A(Tc) -
工作温度 -55℃~150℃ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 190 毫欧 @ 5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 575 1,030
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥3.168
100+ :  ¥2.651
30+ :  ¥5.8357
50+ :  ¥4.1301
100+ :  ¥3.5647
300+ :  ¥3.191
500+ :  ¥3.1143
1,000+ :  ¥3.0568
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR120PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

7.7A(Tc) N-Channel 270 mOhms @ 4.6A,10V 2.5W,42W TO-252 -55℃~150℃ 100V

¥3.168 

阶梯数 价格
20: ¥3.168
100: ¥2.651
575 当前型号
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.8357 

阶梯数 价格
30: ¥5.8357
50: ¥4.1301
100: ¥3.5647
300: ¥3.191
500: ¥3.1143
1,000: ¥3.0568
4,000: ¥3.0089
4,500 对比
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.8357 

阶梯数 价格
30: ¥5.8357
50: ¥4.1301
100: ¥3.5647
300: ¥3.191
500: ¥3.1143
1,000: ¥3.0568
2,145 对比
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 42W(Tc) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 100V 12A(Tc)

¥1.452 

阶梯数 价格
40: ¥1.452
100: ¥1.122
1,250: ¥0.9504
2,065 对比
IRFR120NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 N-Channel 210mΩ@5.6A,10V 48W -55°C~175°C ±20V 100V 9.4A

暂无价格 2,000 对比
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

¥5.8357 

阶梯数 价格
30: ¥5.8357
50: ¥4.1301
100: ¥3.5647
300: ¥3.191
500: ¥3.1143
1,000: ¥3.0568
1,030 对比

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