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IRFR1205TRPBF  与  DMN6040SK3-13  区别

型号 IRFR1205TRPBF DMN6040SK3-13
唯样编号 A36-IRFR1205TRPBF A36-DMN6040SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 107 W 65 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA MOSFET N CH 60V 20A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@26A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 107W(Tc) 42W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1287 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 22.4 nC @ 10 V
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 44A 20A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
库存与单价
库存 330 941
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥2.959
100+ :  ¥2.277
30+ :  ¥1.738
100+ :  ¥1.342
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR1205TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
100: ¥2.277
330 当前型号
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
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暂无价格 0 对比

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