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IRFR1205TRPBF  与  IPD30N10S3L34ATMA1  区别

型号 IRFR1205TRPBF IPD30N10S3L34ATMA1
唯样编号 A36-IRFR1205TRPBF A-IPD30N10S3L34ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 107 W 65 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 57W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@26A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1976pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 44A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 31 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 107W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 29uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 30A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
库存与单价
库存 330 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥2.959
100+ :  ¥2.277
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR1205TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
100: ¥2.277
330 当前型号
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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阶梯数 价格
30: ¥1.738
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TO-252

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IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N10S3L-34_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

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