首页 > 商品目录 > > > > IRFR1205TRPBF代替型号比较

IRFR1205TRPBF  与  AOD4130  区别

型号 IRFR1205TRPBF AOD4130
唯样编号 A36-IRFR1205TRPBF A-AOD4130
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 107 W 65 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 67
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@26A,10V 24mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 30mΩ
Qgd(nC) - 7.2
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 44A 30A
Ciss(pF) - 1582
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 22 Ohms
Td(off)(ns) - 33
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 107W(Tc) 52W
Qrr(nC) - 76
VGS(th) - 2.8
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V -
Coss(pF) - 100
Qg*(nC) - 13.4
库存与单价
库存 330 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥2.959
100+ :  ¥2.277
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR1205TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
100: ¥2.277
330 当前型号
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
941 对比
AOD4130 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 6 对比
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
AOD4130 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N10S3L-34_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售