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IRFP4310ZPBF  与  IRFP4410ZPBF  区别

型号 IRFP4310ZPBF IRFP4410ZPBF
唯样编号 A36-IRFP4310ZPBF A-IRFP4410ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 280 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC Single N-Channel 100 V 230 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@75A,10V 9mΩ@58A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 280W(Tc) 230W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-247AC
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 134A 97A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V 4820pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6860pF @ 50V 4820pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 120nC @ 10V
库存与单价
库存 25 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
4+ :  ¥12.705
10+ :  ¥10.2795
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