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IRFP250PBF  与  IRFP250NPBF  区别

型号 IRFP250PBF IRFP250NPBF
唯样编号 A36-IRFP250PBF-1 A-IRFP250NPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.085 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC Single N-Channel 200 V 214 W 123 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 85 mOhms @ 18A,10V 75mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 190W(Tc) 214W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247AC
连续漏极电流Id 30A(Tc) 30A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2159pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 123nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2159pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 123nC @ 10V
库存与单价
库存 93 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
9+ :  ¥5.8212
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFP250PBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

30A(Tc) N-Channel 85 mOhms @ 18A,10V 190W(Tc) TO-247-3 -55℃~150℃ 200V

¥5.8212 

阶梯数 价格
9: ¥5.8212
93 当前型号
IRFP250NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 214W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 75mΩ@18A,10V N-Channel 200V 30A TO-247AC

暂无价格 0 对比
IRFP250MPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 214W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 75mΩ@18A,10V N-Channel 200V 30A TO-247AC

暂无价格 0 对比
IRFP250M Infineon  数据手册 功率MOSFET

75mΩ 200V TO-247 N-Channel 20V 30A

暂无价格 0 对比

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