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IRFP064NPBF  与  AUIRFP064N  区别

型号 IRFP064NPBF AUIRFP064N
唯样编号 A36-IRFP064NPBF A-AUIRFP064N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 200 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFP064N, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.31mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@59A,10V 8mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-247AC -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A 110A
长度 - 15.87mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V 4000pF @ 25V
高度 - 20.7mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 43 ns
漏源极电压Vds 55V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 200W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 14 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V 170nC @ 10V
库存与单价
库存 6,719 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.368
50+ :  ¥4.301
400+ :  ¥3.905
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFP064NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-247AC

¥5.368 

阶梯数 价格
10: ¥5.368
50: ¥4.301
400: ¥3.905
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