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IRFL024NTRPBF  与  STN3NF06L  区别

型号 IRFL024NTRPBF STN3NF06L
唯样编号 A36-IRFL024NTRPBF A36-STN3NF06L
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 0.075 Ohm 18.3 nC 2.1 W Surface Mount Mosfet - SOT-223 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.8A,10V 100mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 3.3W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 4A
系列 HEXFET® STripFET™ II
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V 340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18.3nC @ 10V 9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18.3nC @ 10V -
库存与单价
库存 2 3,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.398
100+ :  ¥1.914
1,000+ :  ¥1.716
2,000+ :  ¥1.617
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30: ¥2.398
100: ¥1.914
1,000: ¥1.716
2,000: ¥1.617
3,500 对比
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