首页 > 商品目录 > > > > IRFL024NTRPBF代替型号比较

IRFL024NTRPBF  与  AUIRFL024NTR  区别

型号 IRFL024NTRPBF AUIRFL024NTR
唯样编号 A36-IRFL024NTRPBF A-AUIRFL024NTR
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 0.075 Ohm 18.3 nC 2.1 W Surface Mount Mosfet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@2.8A,10V 75mΩ@2.8A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 2.8A(Ta)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18.3nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 25V 400pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18.3nC @ 10V 18.3nC @ 10V
库存与单价
库存 2 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFL024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 2 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 4,000 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 0 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 0 对比
AUIRFL024NTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT223

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售