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IRFH5015TRPBF  与  BSC360N15NS3GATMA1  区别

型号 IRFH5015TRPBF BSC360N15NS3GATMA1
唯样编号 A36-IRFH5015TRPBF A-BSC360N15NS3GATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 150 V 3.6 W 33 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 74W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 31mΩ@34A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 150V -
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),156W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1190pF @ 75V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 PQFN 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 45uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2300pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 36 毫欧 @ 25A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 33A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 8V,10V
漏源电压(Vdss) - 150V
库存与单价
库存 3,547 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
9+ :  ¥5.654
100+ :  ¥4.708
1,000+ :  ¥4.367
2,000+ :  ¥4.169
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFH5015TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN

¥5.654 

阶梯数 价格
9: ¥5.654
100: ¥4.708
1,000: ¥4.367
2,000: ¥4.169
3,547 当前型号
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