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IRFH3702TRPBF  与  DMTH3004LFGQ-13  区别

型号 IRFH3702TRPBF DMTH3004LFGQ-13
唯样编号 A36-IRFH3702TRPBF A-DMTH3004LFGQ-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装 MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.8mΩ -
引脚数目 8 -
最小栅阈值电压 1.35V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2370 pF @ 15 V
栅极电压Vgs - ±16V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 44 nC @ 10 V
封装/外壳 - PowerDI3333-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 42A 15A(Ta),75A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
正向二极管电压 1V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 15V -
高度 0.95mm -
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 11 ns -
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W 2.5W(Ta),50W(Tc)
晶体管配置 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 5.5mΩ@20A,10V
FET类型 - N-Channel
系列 HEXFET -
驱动电压 - 4.5V,10V
典型接通延迟时间 9.6 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
正向跨导 37S -
库存与单价
库存 7 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
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