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IRFH3702TRPBF  与  AON6594  区别

型号 IRFH3702TRPBF AON6594
唯样编号 A36-IRFH3702TRPBF A-AON6594
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH3702TRPBF, 42 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 61
宽度 3mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.8mΩ 7mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 11mΩ
引脚数目 8 -
最小栅阈值电压 1.35V -
Qgd(nC) - 3.6
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 5.6
封装/外壳 - DFN 5x6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 42A 35A
Ciss(pF) - 1037
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
每片芯片元件数目 1 Ohms -
正向二极管电压 1V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1510pF @ 15V -
Schottky Diode - No
高度 0.95mm -
Trr(ns) - 12.7
类别 功率 MOSFET -
典型关断延迟时间 11 ns -
Td(off)(ns) - 18
晶体管材料 Si -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.8W 39W
Qrr(nC) - 17.2
晶体管配置 -
VGS(th) - 2.2
FET类型 - N-Channel
系列 HEXFET -
典型接通延迟时间 9.6 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
正向跨导 37S -
Coss(pF) - 441
Qg*(nC) - 6.8
库存与单价
库存 7 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
1: ¥2.5385
100: ¥2.0204
1,000: ¥1.4559
1,500: ¥1.2532
3,000: ¥0.99
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