IRFBE30PBF 与 STP3N80K5 区别
| 型号 | IRFBE30PBF | STP3N80K5 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-IRFBE30PBF-1 | A-STP3N80K5 | ||
| 制造商 | Vishay | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 宽度 | 4.7 mm | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3Ω | - | ||
| 漏源极电压Vds | 800V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 125W(Tc) | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 4.1A | - | ||
| 系列 | IRF | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 长度 | 10.41 mm | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1300pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 78nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 高度 | 15.49 mm | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 190 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFBE30PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 800V 4.1A 3Ω |
￥3.8808
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190 | 当前型号 | ||||
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STP4NK80Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 1,800 | 对比 | ||||
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STP3N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STP3N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STP4NK80Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STP10NK80Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 12,700 | 对比 |
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