IRFBE20PBF 与 NDD03N80Z-1G 区别
| 型号 | IRFBE20PBF | NDD03N80Z-1G | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-IRFBE20PBF | A3t-NDD03N80Z-1G | ||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 未分类 | ||
| 描述 | Single N-Channel 800 V 6.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率 | - | 96W(Tc) | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.5 Ohms @ 1.1A,10V | 4.5 欧姆 @ 1.2A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | 800V | 800V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 54W(Tc) | - | ||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | ||
| 连续漏极电流Id | 1.8A(Tc) | 2.9A(Tc) | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.5V @ 50µA | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 440pF @ 25V | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 17nC @ 10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 30 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFBE20PBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
1.8A(Tc) N-Channel 6.5 Ohms @ 1.1A,10V 54W(Tc) TO-220-3 -55°C~150°C 800V |
￥5.027
|
30 | 当前型号 | ||||||||||
|
R8002ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel |
￥14.2874
|
300 | 对比 | ||||||||||
|
|
R8002ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel |
￥14.2874
|
240 | 对比 | ||||||||||
|
|
R8002ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
|
NDD03N80Z-1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
|
|
R8002ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2A 35W 4.3Ω@1A,10V 800V 30V TO-220FP-3 N-Channel |
￥6.6119
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
