首页 > 商品目录 > > > > IRFBC40STRLPBF代替型号比较

IRFBC40STRLPBF  与  FQB8N60CTM  区别

型号 IRFBC40STRLPBF FQB8N60CTM
唯样编号 A36-IRFBC40STRLPBF A3-FQB8N60CTM
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 1.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3 N-Channel 600 V 7.5 A 1.2 O Surface Mount QFET® Mosfet - TO-263
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.13W(Ta),147W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2 Ohms @ 3.7A,10V 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),130W(Tc) 3.13W(Ta),147W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 6.2A(Tc) 7.5A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1255pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1255pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
库存与单价
库存 1,600 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
6+ :  ¥9.548
100+ :  ¥8.096
800+ :  ¥7.81
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFBC40STRLPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

6.2A(Tc) N-Channel 1.2 Ohms @ 3.7A,10V 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263AB -55℃~150℃ 600V

¥9.548 

阶梯数 价格
6: ¥9.548
100: ¥8.096
800: ¥7.81
1,600 当前型号
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
FQB8N60CTM ON Semiconductor 功率MOSFET

7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB6NK60ZT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB6N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售