IRFBC40ASPBF 与 FQB8N60CTM 区别
| 型号 | IRFBC40ASPBF | FQB8N60CTM | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-IRFBC40ASPBF | A3t-FQB8N60CTM | ||||||
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Single N-Channel 600 V 1.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3 | N-Channel 600 V 7.5 A 1.2 O Surface Mount QFET® Mosfet - TO-263 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率 | - | 3.13W(Ta),147W(Tc) | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.2 Ohms @ 3.7A,10V | 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 125W | 3.13W(Ta),147W(Tc) | ||||||
| Vgs(th) | 4V @ 250uA | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | TO-263AB | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | ||||||
| 连续漏极电流Id | 6.2A(Tc) | 7.5A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 系列 | - | QFET® | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1255pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V | ||||||
| Vgs(最大值) | ±30V | - | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1255pF @ 25V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 36nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,696 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFBC40ASPBF | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6.2A(Tc) N-Channel 1.2 Ohms @ 3.7A,10V 125W TO-263AB -55°C~150°C 600V |
￥7.095
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1,696 | 当前型号 | ||||||||
|
STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 21,000 | 对比 | ||||||||
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STB6N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 13,000 | 对比 | ||||||||
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|
STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥5.148
|
478 | 对比 | ||||||||
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STB6NK60ZT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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FQB8N60CTM | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
7.5A(Tc) ±30V 3.13W(Ta),147W(Tc) 1.2Ω@3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK N-Channel 600V 7.5A 1.2 欧姆 @ 3.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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