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IRFB4620PBF  与  IRF640NPBF  区别

型号 IRFB4620PBF IRF640NPBF
唯样编号 A36-IRFB4620PBF A3-IRF640NPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC 150 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 72.5mΩ 150mΩ@11A,10V
上升时间 22.4ns -
Qg-栅极电荷 25nC -
栅极电压Vgs 20V ±20V
正向跨导 - 最小值 37S -
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 25A 18A
配置 Single -
长度 10mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 14.8ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V -
高度 15.65mm -
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 144W 150W(Tc)
典型关闭延迟时间 25.4ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1710pF @ 50V 1160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V 67nC @ 10V
典型接通延迟时间 13.4ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,464 10,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
7+ :  ¥7.425
100+ :  ¥5.94
1,000+ :  ¥5.489
暂无价格
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