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IRFB4410ZPBF  与  IRF8010PBF  区别

型号 IRFB4410ZPBF IRF8010PBF
唯样编号 A36-IRFB4410ZPBF A33-IRF8010PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 9 mO 83 nC Flange Mount Hexfet Power Mosfet - TO-220AB Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@58A,10V 15mΩ@45A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 260W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 97A 80A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V 3830pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V 3830pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 120nC @ 10V
库存与单价
库存 806 277
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥3.531
100+ :  ¥2.827
20+ :  ¥9.7741
50+ :  ¥9.4866
100+ :  ¥9.1992
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