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IRFB3607PBF  与  IPP052NE7N3GXKSA1  区别

型号 IRFB3607PBF IPP052NE7N3GXKSA1
唯样编号 A36-IRFB3607PBF A-IPP052NE7N3GXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@46A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 75V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 37.5V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.8V @ 91uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 10V
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.2 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 75V
库存与单价
库存 94 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.145
50+ :  ¥1.65
暂无价格
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