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IRFB3607PBF  与  AOT2610L  区别

型号 IRFB3607PBF AOT2610L
唯样编号 A36-IRFB3607PBF A-AOT2610L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 12.5
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@46A,10V 10.7mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 13.5mΩ
Qgd(nC) - 2.2
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 8.5
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 80A 55A
Ciss(pF) - 2007
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 19
Td(off)(ns) - 27
漏源极电压Vds 75V 60V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 75W
Qrr(nC) - 69.5
VGS(th) - 2.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3070pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V -
Coss(pF) - 177
Qg*(nC) - 8.5
库存与单价
库存 94 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.145
50+ :  ¥1.65
暂无价格
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