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IRFB3207ZPBF  与  PHP29N08T,127  区别

型号 IRFB3207ZPBF PHP29N08T,127
唯样编号 A36-IRFB3207ZPBF A-PHP29N08T,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.1mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 88W
输出电容 - 140pF
栅极电压Vgs ±20V 4V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 170A 27A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF @ 50V -
输入电容 - 810pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6920pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC -
库存与单价
库存 315 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
9+ :  ¥5.797
100+ :  ¥4.631
20+ :  ¥5.7102
50+ :  ¥4.6805
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