首页 > 商品目录 > > > > IRFB11N50APBF代替型号比较

IRFB11N50APBF  与  SPP07N60C3  区别

型号 IRFB11N50APBF SPP07N60C3
唯样编号 A36-IRFB11N50APBF A-SPP07N60C3
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 500 V 0.52 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 520 mOhms @ 6.6A,10V 600mΩ
上升时间 - 3.5ns
Vgs(th) 4V @ 250uA -
RthJA max - 62.0K/W
栅极电压Vgs - 2.1V,3.9V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
连续漏极电流Id 11A(Tc) 7.3A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
配置 - Single
QG (typ @10V) - 21.0 nC
Ptot max - 83.0W
长度 - 10mm
Vgs(最大值) ±30V -
下降时间 - 7ns
高度 - 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 0.71
漏源极电压Vds 500V 600V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 83W
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Mounting - THT
RthJC max - 1.5 K/W
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
典型接通延迟时间 - 6ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB11N50APBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

11A(Tc) N-Channel 520 mOhms @ 6.6A,10V 170W(Tc) TO-220-3 -55℃~150℃ 500V

暂无价格 0 当前型号
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 14,150 对比
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.862 

阶梯数 价格
20: ¥4.862
52 对比
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
SPP07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP07N60C3XKSA1_83W 600mΩ 600V 7.3A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IRFB11N50APBF Infineon 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售