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IRFB11N50APBF  与  IRFB11N50APBF  区别

型号 IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF
唯样编号 A36-IRFB11N50APBF A-IRFB11N50APBF-1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 500 V 0.52 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 N沟道,500V,11A,520mΩ@10V
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 170W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 520 mOhms @ 6.6A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1423pF @ 25V
Vgs(th) 4V @ 250uA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 11A(Tc) -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 520 毫欧 @ 6.6A,10V
Vgs(最大值) ±30V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 500V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB11N50APBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

11A(Tc) N-Channel 520 mOhms @ 6.6A,10V 170W(Tc) TO-220-3 -55℃~150℃ 500V

暂无价格 0 当前型号
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 14,150 对比
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.862 

阶梯数 价格
20: ¥4.862
52 对比
STP11NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
SPP07N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP07N60C3XKSA1_83W 600mΩ 600V 7.3A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IRFB11N50APBF Infineon 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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