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IRF9Z34NPBF  与  IRF9Z34N  区别

型号 IRF9Z34NPBF IRF9Z34N
唯样编号 A36-IRF9Z34NPBF A-IRF9Z34N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single HexFet -55 V 68 W 35 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@10A,10V 100mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 19A -17A
Ptot max - 56.0W
QG - 23.3nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V -
Budgetary Price €€/1k - 0.25
RthJC max - 2.7K/W
漏源极电压Vds 55V -55V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 68W(Tc) -
FET类型 P-Channel P-Channel
Qgd - 10.7nC
Mounting - THT
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
Tj max - 175.0°C
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-220AB

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