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IRF9Z34NPBF  与  AUIRF9Z34N  区别

型号 IRF9Z34NPBF AUIRF9Z34N
唯样编号 A36-IRF9Z34NPBF A-AUIRF9Z34N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet -55 V 68 W 35 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.82mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@10A,10V 100mΩ
上升时间 - 55ns
Qg-栅极电荷 - 23.3nC
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 19A 19A
配置 - Single
长度 - 10.66mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
下降时间 - 41ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V -
高度 - 16.51mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 30 ns
漏源极电压Vds 55V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 68W(Tc) 68W
晶体管配置 -
典型关闭延迟时间 - 30ns
FET类型 P-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 620pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 13 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9Z34NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

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