首页 > 商品目录 > > > > IRF9540SPBF代替型号比较

IRF9540SPBF  与  IRF9540NSTRLPBF  区别

型号 IRF9540SPBF IRF9540NSTRLPBF
唯样编号 A36-IRF9540SPBF A-IRF9540NSTRLPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 100 V 0.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3 Single P-Channel 100 V 117 mOhm 110 nC 3.1 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 200 mOhms @ 11A,10V 117mΩ@14A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.7W(Ta),150W(Tc) 3.1W(Ta),110W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-263AB D2PAK
连续漏极电流Id 19A(Tc) 23A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~150°C(TJ)
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 94 800
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
7+ :  ¥8.228
50+ :  ¥7.832
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9540SPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

19A(Tc) P-Channel 200 mOhms @ 11A,10V 3.7W(Ta),150W(Tc) TO-263AB -55℃~175℃ 100V

¥8.228 

阶梯数 价格
7: ¥8.228
50: ¥7.832
94 当前型号
IRF9540NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 117mΩ@14A,10V P-Channel 100V 23A D2PAK

暂无价格 800 对比
IRF9540NSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 117mΩ@14A,10V P-Channel 100V 23A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF9540NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.1W(Ta),110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 117mΩ@14A,10V P-Channel 100V 23A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF9530NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 100V 14A(Tc) ±20V 3.8W(Ta),79W(Tc) 200mΩ@8.4A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售