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IRF8707TRPBF  与  RS3E095BNGZETB  区别

型号 IRF8707TRPBF RS3E095BNGZETB
唯样编号 A36-IRF8707TRPBF A33-RS3E095BNGZETB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.9mΩ@11A,10V 14.6mΩ@9.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 9.5A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V 680pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 4.5V 8.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 20,234 2,152
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
40+ :  ¥1.54
100+ :  ¥1.188
1,000+ :  ¥0.9889
2,000+ :  ¥0.8987
4,000+ :  ¥0.825
70+ :  ¥2.3861
100+ :  ¥2.2615
500+ :  ¥1.9069
1,000+ :  ¥1.8399
2,000+ :  ¥1.7057
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.54 

阶梯数 价格
40: ¥1.54
100: ¥1.188
1,000: ¥0.9889
2,000: ¥0.8987
4,000: ¥0.825
20,234 当前型号
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.3861 

阶梯数 价格
70: ¥2.3861
100: ¥2.2615
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8399
2,000: ¥1.7057
2,500 对比
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.3861 

阶梯数 价格
70: ¥2.3861
100: ¥2.2615
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8399
2,000: ¥1.7057
2,152 对比
SI4410DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF8707GTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

暂无价格 0 对比
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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