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IRF830APBF  与  IPP80N08S207AKSA1  区别

型号 IRF830APBF IPP80N08S207AKSA1
唯样编号 A36-IRF830APBF A-IPP80N08S207AKSA1
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 500 V 1.4 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4 Ohms @ 3A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 500V -
Pd-功率耗散(Max) 74W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4700pF @ 25V
Vgs(th) 4.5V @ 250uA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 5A(Tc) -
工作温度 -55℃~150℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 180nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.4 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) ±30V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 75V
库存与单价
库存 16 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF830APBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

5A(Tc) N-Channel 1.4 Ohms @ 3A,10V 74W TO-220-3 -55℃~150℃ 500V

暂无价格 16 当前型号
SPP11N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP11N80C3XKSA1_800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 500 对比
IPP80N08S207AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80N08S2-07_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
SPP08N50C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP08N50C3XKSA1_83W 600mΩ 500V 7.6A TO-220 N-Channel 2.1V,3.9V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
SPP80N03S2L-05 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP80N03S2L05AKSA1_30V 80A 5.2mΩ 20V 167W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPP60R125CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125CP_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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