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IRF8010PBF  与  IPP180N10N3GXKSA1  区别

型号 IRF8010PBF IPP180N10N3GXKSA1
唯样编号 A36-IRF8010PBF A-IPP180N10N3GXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@45A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 18 毫欧 @ 33A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 260W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 33uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 43A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,860 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥7.557
100+ :  ¥6.039
1,000+ :  ¥5.599
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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TO-220AB

¥7.557 

阶梯数 价格
7: ¥7.557
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