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IRF8010PBF  与  AOT298L  区别

型号 IRF8010PBF AOT298L
唯样编号 A36-IRF8010PBF A-AOT298L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@45A,10V 14.5mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 260W(Tc) 100W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A 58A
系列 HEXFET® AOT
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V 1670pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 27nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3830pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,860 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
7+ :  ¥7.557
100+ :  ¥6.039
1,000+ :  ¥5.599
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8010PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥7.557 

阶梯数 价格
7: ¥7.557
100: ¥6.039
1,000: ¥5.599
2,860 当前型号
STP80NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥1.7021 

阶梯数 价格
1: ¥1.7021
25: ¥1.4673
40 对比
AOT298L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO220

暂无价格 0 对比
IPP180N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP180N10N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN5R6-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100PS_SOT78

¥15.5075 

阶梯数 价格
20: ¥15.5075
50: ¥12.7111
0 对比
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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