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IRF7416TRPBF  与  SI4435DY  区别

型号 IRF7416TRPBF SI4435DY
唯样编号 A36-IRF7416TRPBF A32-SI4435DY
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single HexFet -30 V 2.5 W 92 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@5.6A,10V 0.035 0hms
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
栅极电压Vgs - -20 V、+20 V
封装/外壳 8-SO 4.9*3.9*1.57mm
连续漏极电流Id 10A 8.8 A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
长度 - 4.9mm
最低工作温度 - -55 °C
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
正向二极管电压 - 1.2V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
最高工作温度 - +175 °C
高度 - 1.57mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 42 ns
漏源极电压Vds 30V 1604 pF @ -15 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
晶体管配置 -
FET类型 P-Channel 增强
系列 - PowerTrench
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V 1604pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 92nC @ 10V 24nC @ 5V
典型接通延迟时间 - 13 ns
正向跨导 - 24S
库存与单价
库存 19,133 180
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
20+ :  ¥2.541
100+ :  ¥2.024
1,000+ :  ¥1.815
2,000+ :  ¥1.716
4,000+ :  ¥1.628
1+ :  ¥0.556
100+ :  ¥0.4882
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.541 

阶梯数 价格
20: ¥2.541
100: ¥2.024
1,000: ¥1.815
2,000: ¥1.716
4,000: ¥1.628
19,133 当前型号
SI4435DY ON Semiconductor 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

¥0.556 

阶梯数 价格
1: ¥0.556
100: ¥0.4882
180 对比
SI4435DY ON Semiconductor 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9*3.9*1.57mm 4.9mm

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暂无价格 8 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

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阶梯数 价格
480: ¥2.5734
1,000: ¥2.025
1,500: ¥1.5836
3,000: ¥1.2352
0 对比
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比

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