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IRF7403TRPBF  与  DMN3018SSS-13  区别

型号 IRF7403TRPBF DMN3018SSS-13
唯样编号 A36-IRF7403TRPBF A-DMN3018SSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 22mΩ@4A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 21mΩ@10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 697 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 13.2 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 8.5A 7.3A(Ta)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7403TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.243 

阶梯数 价格
50: ¥1.243
100: ¥0.9526
1,250: ¥0.8063
2,046 对比
FDS6612A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
FDS8884 ON Semiconductor 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 对比
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

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DMG4466SSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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