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IRF7306TRPBF  与  AO4803A  区别

型号 IRF7306TRPBF AO4803A
唯样编号 A36-IRF7306TRPBF A36-AO4803A
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 0.16 Ohm 25 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 65
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1.8A,10V 46mΩ@-5A,-10V
Rds On(Max)@4.5V - 74mΩ
Qgd(nC) - 2.2
栅极电压Vgs - ±20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 3.6A -5A
Ciss(pF) - 520
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
Trr(ns) - 11
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) - 5.3
VGS(th) - -2.5
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
Coss(pF) - 100
Qg*(nC) - 4.6
库存与单价
库存 5,472 9,960
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.729
100+ :  ¥3.113
1,000+ :  ¥2.882
2,000+ :  ¥2.75
4,000+ :  ¥2.607
50+ :  ¥1.133
200+ :  ¥0.8723
1,500+ :  ¥0.759
3,000+ :  ¥0.66
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7306TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.729 

阶梯数 价格
20: ¥3.729
100: ¥3.113
1,000: ¥2.882
2,000: ¥2.75
4,000: ¥2.607
5,472 当前型号
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

暂无价格 25,000 对比
AO4803A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.133 

阶梯数 价格
50: ¥1.133
200: ¥0.8723
1,500: ¥0.759
3,000: ¥0.66
9,960 对比
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8-SO

¥0.9526 

阶梯数 价格
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