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IRF7205TRPBF  与  AO4459  区别

型号 IRF7205TRPBF AO4459
唯样编号 A36-IRF7205TRPBF A36-AO4459
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 0.13 Ohm 40 nC 2.5W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 65
Rds On(Max)@Id,Vgs 70mΩ@4.6A,10V 46mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 72mΩ
Qgd(nC) - 2.2
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 4.6A -6.5A
Ciss(pF) - 520
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 11
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Tc) 3.1W
Qrr(nC) - 5.3
VGS(th) - -2.4
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
Coss(pF) - 100
Qg*(nC) - 4.6
库存与单价
库存 2,371 863
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.046
100+ :  ¥1.639
1,000+ :  ¥1.463
2,000+ :  ¥1.397
80+ :  ¥0.6578
200+ :  ¥0.5356
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7205TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
1,000: ¥1.463
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2,371 当前型号
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¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
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SO-8

¥1.6022 

阶梯数 价格
480: ¥1.6022
1,000: ¥1.2607
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