首页 > 商品目录 > > > > IRF7205TRPBF代替型号比较

IRF7205TRPBF  与  DMP3098LSS-13  区别

型号 IRF7205TRPBF DMP3098LSS-13
唯样编号 A36-IRF7205TRPBF A3-DMP3098LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 0.13 Ohm 40 nC 2.5W Surface Mount Mosfet - SOIC-8 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 70mΩ@4.6A,10V 65mΩ@5.3A,10V
上升时间 - 5 ns
栅极电压Vgs ±20V ±20V
封装/外壳 8-SO SOP
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.6A 5.3A
配置 - Single Quad Drain Triple Source
长度 - 4.95 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 9.5 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 10V -
高度 - 1.5 mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Tc) 2.5W(Ta)
典型关闭延迟时间 - 17.6 ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® DMP
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 10V 336pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V 7.8nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 6 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
库存与单价
库存 2,371 10,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.046
100+ :  ¥1.639
1,000+ :  ¥1.463
2,000+ :  ¥1.397
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7205TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
1,000: ¥1.463
2,000: ¥1.397
2,371 当前型号
DMP3098LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

4.95mm SOP

暂无价格 10,000 对比
AO4459 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
863 对比
AO4459 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.6022 

阶梯数 价格
480: ¥1.6022
1,000: ¥1.2607
1,500: ¥0.986
3,000: ¥0.769
0 对比
DI9405T Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 0 对比
DMP3098LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

4.95mm SOP

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售