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IRF640PBF  与  IRF640NPBF  区别

型号 IRF640PBF IRF640NPBF
唯样编号 A36-IRF640PBF A-IRF640NPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3 Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC 150 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.7mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.5Ω 150mΩ@11A,10V
上升时间 17ns -
Qg-栅极电荷 8.2nC -
栅极电压Vgs 2V ±20V
正向跨导 - 最小值 0.8S -
封装/外壳 TO-220AB-3 TO-220AB
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.3A 18A
配置 Single -
长度 10.41mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 8.9ns -
高度 15.49mm -
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 36W 150W(Tc)
典型关闭延迟时间 14ns -
FET类型 - N-Channel
系列 IRF HEXFET®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V 1160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V 67nC @ 10V
典型接通延迟时间 8.2ns -
库存与单价
库存 528 1,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥3.421
100+ :  ¥2.739
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 3.3A 36W 1.5Ω 200V 2V TO-220AB-3

¥3.421 

阶梯数 价格
20: ¥3.421
100: ¥2.739
528 当前型号
IRF640NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 150W(Tc) 150mΩ@11A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 18A 200V TO-220AB

暂无价格 1,000 对比

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