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IRF630NPBF  与  BUZ73E3046XK  区别

型号 IRF630NPBF BUZ73E3046XK
唯样编号 A36-IRF630NPBF A-BUZ73E3046XK
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
功率耗散(最大值) - 40W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 300mΩ -
上升时间 14ns -
Qg-栅极电荷 23.3nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 530pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
正向跨导 - 最小值 4.9S -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.3A -
配置 Single -
长度 10mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 400 毫欧 @ 4.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
下降时间 15ns -
高度 15.65mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 200V -
Pd-功率耗散(Max) 82W -
典型关闭延迟时间 27ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 575pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 200V
典型接通延迟时间 7.9ns -
库存与单价
库存 19,519 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.98
50+ :  ¥1.518
1,000+ :  ¥1.265
暂无价格
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