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IRF540STRLPBF  与  IRF540ZSTRLPBF  区别

型号 IRF540STRLPBF IRF540ZSTRLPBF
唯样编号 A36-IRF540STRLPBF A-IRF540ZSTRLPBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 77 mOhms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 77 mOhms @ 17A,10V 26.5mΩ@22A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.7W(Ta),150W(Tc) 92W(Tc)
Vgs(th) 4V @ 250uA -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB D²PAK(TO-263AB)
连续漏极电流Id 28A(Tc) 36A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1770pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1770pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
库存与单价
库存 1,452 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
8+ :  ¥6.842
100+ :  ¥5.797
800+ :  ¥5.599
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF540STRLPBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

28A(Tc) N-Channel 77 mOhms @ 17A,10V 3.7W(Ta),150W(Tc) TO-263AB -55℃~175℃ 100V

¥6.842 

阶梯数 价格
8: ¥6.842
100: ¥5.797
800: ¥5.599
1,452 当前型号
STB30NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB30NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PHB27NQ10T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB27NQ10T_SOT404 N-Channel 107W 175℃ 3V 100V 28A

暂无价格 0 对比
IRF540ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 92W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 26.5mΩ@22A,10V N-Channel 100V 36A D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRF540ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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